Image: US Patent 3029366 fig 1 redrawn
![US Patent 3029366 fig 1 redrawn](/images/thumb/9/91/US_Patent_3029366_fig_1_redrawn.png/800px-US_Patent_3029366_fig_1_redrawn.png)
Description: Структура интегральной схемы с изоляцией p-n-переходом, предложенная Куртом Леховцом в 1959 году (по патенту США 3029366). Cинии области - n-типа, красные - p-типа. Схема = трёхкаскадный УВЧ с непосредственными связями, напряжение питания -1.5 В. Реальная опытная структура имела 2.2 мм в длину и 0.1 мм в высоту. The first historical IC with junction isolation, by Kurt Lehovec (Sprague Electric), conceived in the end of 1958, patent filed 22/04/1959 - just a couple of months preceding Robert Noyce. The structure itself is a one-dimensional grown-crystal thing with alloyed transistors. Size: L=90 mils (2.2 mm), W=20 mils (0.5 mm), H=4 mils (0.1 mm).
Title: US Patent 3029366 fig 1 redrawn
Credit: Own work
Author: Retired electrician based on figure 2 from US patent 3029366 by Kurt Lehovec (filed 1959, issued 1962)
Usage Terms: Public domain
License: Public domain
Attribution Required?: No
Image usage
The following page links to this image: